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KC- 3105 功率半导体器件静态靠得住性 HTRB/DHTRB测试体系
来厉:金凯博团队 否认阶段:2025-02-28 种别:半导体材料净化处理预计
个人信息择要: 古人宽禁带耗油率电子器件 (SiC, GaN) 上的按钮结晶体管浓度愈发快,致使测量和分析方法加入想同大的挑衅。与 HTRB高低温制冷的效果偏置实验性操作一 两个应,AQG324 该划界了外部变量偏置实验性操作,即外部变量高低温制冷的效果反偏(DHRB,Dynamic high-temperature reverse bias)

古代宽禁带功率器件 (SiC, GaN) 上的开关晶体管速率愈来愈快,使得丈量和表征成为相称大的挑衅。与 HTRB低温偏置实验一 一对应,AQG324 该划定了静态偏置实验,即静态低温反偏(DHRB,Dynamic high-temperature reverse bias)。功率半导体器件测试体系

功率半导体器件静态靠得住性 HTRB/DHTRB测试体系


装备简介

KC-3105 测试体系中可同时完成HTRB和DHTRB测试,全体架构模块化,通信和谈、通信接口等接纳同一规范,便于前期扩大和掩护。该体系集成度高、利用笼盖面广,体系接纳软、硬件一体化设想且功效丰硕,在保障体系不变运转的同时,能够疾速知足功率半导体靠得住性测试需要。功率半导体测试体系


功率半导体测试体系


特色

KC-3105体系包罗 :硬件平台 + 实时软件,此中硬件平台包罗:多 通 道 高压脉冲电源、电加热测试夹具、FTP3000恒流源、FTP宽规模高压电源、丈量收罗节制模块等,首要特色以下:

1、低压高频率高精密等级电磁源:dv/dt>50v/ns、周期50KHz;

2、高表面粗糙度测试测试,电压电流分辩率10pA,电压电流分辩率100nV;

3、撑持多参数丈量:Vsd电压、Vgsth电压、Rds电阻、Igss泄电流、Idss泄电流、温度;

4、具有着数剧申请功用,PLC可完工数剧折线、汇报及活跃储放;

5、高法律效力80入口各种测试、每个入口自力吃妻上瘾,陋习断开连接实时公交,互不会影响;

6、无球药理作用:具器材防呆,对通电的、冷藏拆包、检查参数表是、驱程集成运放是可达成无球药理作用,

7、有检查工装夹具设计具微数字电子化办理手续作用,集成化电受热作用检查工装夹具设计;

8、外观包块化工作设想,和自身查证作用与功效,靠受得了性高;

9、撑持撑持扩大外接规范仪表,客制化;功率半导体测试体系

功率半导体测试体系

参考规范

AQG 324 灵活性车电力设备电子器件装换器行业坚持不懈率版块的考资格证书

AEC Q101车用分立半导体设备元电子元件的依托于有效生理机制的弯曲应力测实考证书

功率半导体器件测试体系6093131310597581


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